[发明专利]一种垂直结构发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201510022433.1 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104576850B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李天保;贾伟;许并社;余春艳;章海霞 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，以解决目前垂直结构发光二极管制备中存在的成本较高、良率低的技术问题。一种垂直结构发光二极管的制备方法，利用表面石墨烯化的薄片状Ti3AlC2材料作为衬底材料，生长发光二极管外延结构，外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。本发明以表面石墨烯化的Ti3AlC2材料作为衬底材料，一方面利用石墨烯层状结构特有的层间范德华力，生长了受晶格常数匹配约束较小的外延薄膜材料，另一方面利用Ti3AlC2材料在HF酸溶液中反应分解的特点，制备了垂直结构发光二极管，降低了器件的制造成本，提高了器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构发光二极管的制备方法，其特征在于：利用表面石墨烯化的Ti3AlC2材料作为衬底材料生长发光二极管外延结构，外延结构从下至上分别是n型掺杂层、多量子阱发光层、p型掺杂层；n电极位于n型掺杂层下方，p电极位于p型掺杂层上方。
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