[发明专利]一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法在审
| 申请号： | 201510021726.8 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104538502A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘长明;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，包括步骤：对硅片表面进行制绒；扩散工序，在所述硅片正表面形成PN结；采用湿法刻蚀对所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理；在所述硅片正表面制备减反射膜；采用激光在所述硅片上开过孔；制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极。所述制作方法，采用激光对硅片开过孔是在硅片表面制备减反射膜之后，而在制备减反射膜之前已通过湿法刻蚀一步完成对电池片的去边缘PN结处理和去PSG处理。相比于现有的制作方法，省去了单独采用激光对电池片的去边缘PN结处理，这不仅使MWT太阳能电池的制作工序大大简化，且提高了电池片生产的成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 mwt 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对硅片表面进行制绒；扩散工序，在所述硅片正表面形成PN结；采用湿法刻蚀对所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理；在所述硅片正表面制备减反射膜；采用激光在所述硅片上开过孔；制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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