[发明专利]一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201510021174.0 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104600120B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;孙陈超;王剑锋;叶然;张春伟;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型硅衬底（1），在N型硅衬底（1）上形成有N型外延层（2）；在N型外延层（2）中形成有P型轻掺杂漏区（3）和N阱（4），且N阱（4）在所述P型轻掺杂漏区（3）的一侧，N阱（4）的一侧和所述P型轻掺杂漏区（3）的一侧相接触，在所述P型轻掺杂漏区（3）中形成有第一P型重掺杂漏区（5）；在所述N阱（4）中形成有第二P型重掺杂源区（6），在N阱（4）的另一侧形成有N型重掺杂引出区（7），N型重掺杂引出区（7）与第二P型重掺杂源区（6）和N阱（4）相接触，并穿过N型外延层（2）与N型硅衬底（1）相接触；在N阱（4）上形成有栅氧化层（8），且栅氧化层（8）的两个边界分别位于第二P型重掺杂源区（6）的边界及P型轻掺杂漏区（3）的边界上方，在栅氧化层（8）的表面形成有多晶硅栅（9）；在N型重掺杂引出区（7）和第二P型重掺杂源区（6）上连接有源极金属（11），在P型重掺杂漏区（5）上连接有漏极金属（12），源极金属（11）和漏极金属（12）分别通过场氧（10）与多晶硅栅（9）相隔离，其特征在于，所述栅氧化层（8）为阶梯状，在栅氧化层（8）的下方设有P型掺杂区（13）且所述P型掺杂区（13）位于N阱（4）中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510021174.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
