[发明专利]一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法，该方法通过将ITO透明导电层与N电极的垂直投影相对应的区域刻蚀掉，利用P型GaN层与P电极层之间的高接触电阻区域（肖特基接触）形成电流阻挡结构，得到的LED垂直芯片中，注入电流可以有效扩展，缓解N电极下方电流的拥挤，提高电流的均匀分布，从而提高垂直结构LED的发光性能。相比传统的电流阻挡工艺，本发明的方法工艺简单，成本低，产能高，且得到的LED不容易发生剥离，从而提高了垂直芯片的可靠性。

主权项

一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；在所述P型GaN层表面形成ITO透明导电层；将所述ITO透明导电层与后续将要形成的N电极的垂直投影相对应的区域蚀刻掉，在所述ITO透明导电层中得到一暴露出所述P型GaN层的开口；进一步在所述ITO透明导电层表面形成P电极层，所述P电极层填充进所述开口并与所述开口暴露出的P型GaN层接触，所述P电极层与所述开口暴露出的P型GaN层的接触区域作为电流阻挡结构；在所述P电极层表面键合一基板；依次去除所述衬底及所述非故意掺杂GaN层，并形成自上而下贯穿所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层的切割道，得到MESA台面；在所述N型GaN层表面形成N电极。