[发明专利]一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；

在所述P型GaN层表面形成ITO透明导电层；

将所述ITO透明导电层与后续将要形成的N电极的垂直投影相对应的区域蚀刻掉，在所述ITO透明导电层中得到一暴露出所述P型GaN层的开口；

进一步在所述ITO透明导电层表面形成P电极层，所述P电极层填充进所述开口并与所述开口暴露出的P型GaN层接触，所述P电极层与所述开口暴露出的P型GaN层的接触区域作为电流阻挡结构；

在所述P电极层表面键合一基板；

依次去除所述衬底及所述非故意掺杂GaN层，并形成自上而下贯穿所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层的切割道，得到MESA台面；

在所述N型GaN层表面形成N电极。

2.根据权利要求1所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：在所述N型GaN层表面形成所述N电极之前，将所述N型GaN层表面粗化。

3.根据权利要求1所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：在所述ITO透明导电层表面依次形成反射电极层及键合金属层，所述反射电极层及键合金属层共同作为所述P电极层。

4.根据权利要求1所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：所述ITO透明导电层与所述P型GaN层及所述P电极层之间均为欧姆接触；所述P电极层与所述开口底部暴露的P型GaN层之间为肖特基接触。

5.根据权利要求1所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：利用湿法工艺蚀刻得到所述开口。

6.根据权利要求1所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：采用激光剥离法去除所述衬底，采用ICP法去除所述非故意掺杂GaN层。

7.一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片，包括基板及自下而上依次形成于所述基板上的P电极层、ITO透明导电层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层及N电极，其特征在于：

所述ITO透明导电层中具有一开口，所述开口的位置与所述N电极在所述ITO透明导电层上的垂直投影位置相对应；

所述开口暴露出所述P型GaN层，所述P电极层填充进所述开口并与所述开口暴露的P型GaN层接触；所述P电极层与所述开口暴露的P型GaN层的接触区域作为电流阻挡结构。

8.根据权利要求7所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片，其特征在于：所述ITO透明导电层与所述P型GaN层及所述P电极层之间均为欧姆接触；所述P电极层与所述开口底部暴露的P型GaN层之间为肖特基接触。

9.根据权利要求7所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片，其特征在于：所述基板为Si片、W/Cu衬底或Mo/Cu衬底。

10.根据权利要求7所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片，其特征在于：所述P电极层包括反射电极层及键合金属层，其中，所述反射电极层与所述ITO透明导电层连接，所述键合金属层与所述基板连接。

11.根据权利要求7所述的具有电流阻挡结构的LED垂直芯片，其特征在于：所述N型GaN层表面经过粗化处理。