[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510016305.6 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779291B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 松浦克好;有吉润一 | 申请（专利权）人： | 三重富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;郑特强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体集成电路装置及其制造方式。该装置包括第一绝缘栅极晶体管，其包括：第一导电类型的第一阱区、第一栅电极、第一导电类型的第一沟道掺杂区、第二导电类型的第一延伸区、第一源极区和第二源极区以及第二导电类型的第一镇流电阻，该第一镇流电阻的峰值杂质浓度低于第一延伸区的峰值杂质浓度，并且第一镇流电阻的深度大于第一延伸区的深度。采用本申请的方案，使得由镇流电阻引起的泄露电流减少，同时，泄露电流的不一致性减小。并且，使该镇流电阻的峰值杂质浓度小于延伸区中的峰值杂质浓度，并且镇流电阻的深度大于延伸区的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 镇流电阻 延伸区 半导体集成电路装置 第一导电类型 导电类型 泄露电流 源极区 绝缘栅极晶体管 沟道掺杂区 不一致性 栅电极 电阻 减小 阱区 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，包括：第一绝缘栅极晶体管，其包括：第一导电类型的第一阱区，位于半导体衬底中；第一栅电极，设置在所述第一阱区中，第一栅绝缘膜位于所述第一栅电极与所述第一阱区之间；所述第一导电类型的第一沟道掺杂区，设置在所述第一栅电极下方；第二导电类型的第一延伸区、所述第二导电类型的第一源极区以及所述第二导电类型的第一漏极区，设置在所述第一栅电极的两侧，所述第二导电类型是与所述第一导电类型相反的导电类型；所述第二导电类型的第一镇流电阻，所述第一镇流电阻分离所述第一漏极区，其中所述第一镇流电阻形成在未形成有所述第一沟道掺杂区的区域，所述第一镇流电阻的峰值杂质浓度低于所述第一延伸区的峰值杂质浓度，并且所述第一镇流电阻的深度大于所述第一延伸区的深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三重富士通半导体股份有限公司，未经三重富士通半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510016305.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在无线LAN系统中信道接入的方法和设备
- 下一篇：液晶显示模组及液晶显示装置
- 同类专利
- 专利分类
