[发明专利]AlGaInP系发光二极管器件有效
| 申请号： | 201510013690.9 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN104538516B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaInP系发光二极管器件，依次包括依次包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、窗口层，所述发光层和P型AlGaInP层之间插入GaP层，进一步地所述P型半导体层中至少插入一GaP层。所述GaP层的插入，能带结构上可以有效阻挡电子向P型层泄漏的同时，增加P型层空穴的浓度，因此，可以有效增加发光层中电子和空穴的复合几率，进而，提高发光二极管器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种AlGaInP系发光二极管器件，依次包括：衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、窗口层，其特征在于：所述发光层和P型半导体层之间插入GaP层，所述P型半导体层中至少插入一GaP层，所述GaP层的厚度介于0.01和5nm之间，以产生导带偏移ΔEc，形成阻挡电子扩散的势垒。
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