[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底用于形成核心器件的第一区域和用于形成输入/输出器件的第二区域上形成第一栅氧化层后，在第二区域上形成保护层；形成伪栅材料层，刻蚀伪栅材料层、第一栅氧化层和保护层，形成第一伪栅结构和第二伪栅结构；在半导体衬底上形成介质层后；去除两个伪栅结构内的伪栅材料层，在介质层内形成第一栅极开口和第二栅极开口，第一栅极开口露出第一栅氧化层，第二栅极开口露出保护层；以保护层为掩模去除第一栅极开口内的第一栅氧化层，在第一栅极开口内形成第二栅氧化层；向两个栅极开口内填充金属材料，形成两个金属栅极。上述技术方案可提高具有核心器件和周边器件结构的半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成核心器件，所述第二区域用于形成输入/输出器件；在第一区域和第二区域的半导体衬底上形成第一栅氧化层；在第二区域的第一栅氧化层上形成保护层；在第一区域的第一栅氧化层和第二区域的保护层上形成伪栅材料层；刻蚀伪栅材料层、保护层和第一栅氧化层露出半导体衬底，在第一区域上形成第一伪栅结构并在第二区域上形成第二伪栅结构；在第一栅极结构和第二栅极结构之间的半导体衬底上形成介质层；去除第一伪栅结构和第二伪栅结构内的伪栅材料层，在第一区域上的介质层内形成第一栅极开口并在第二区域内的介质层内形成第二栅极开口，所述第一栅极开口露出第一栅氧化层，所述第二栅极开口露出保护层；以保护层为掩模去除第一栅极开口内的第一栅氧化层；在第一栅极开口内的半导体衬底上形成第二栅氧化层；在第一栅极开口的第二栅氧化层上，以及在第二栅极开口的保护层上形成高K栅极介质层；在第一栅极开口和第二栅极开口内填充金属栅极材料，包括：在高K栅极介质层上形成金属栅极材料，以在第一栅极开口内形成第一金属栅极且在第二栅极开口内形成第二金属栅极。