[发明专利]硅基多通道TR组件及设计方法有效
| 申请号： | 201610159643.X | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105826275B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 周骏;沈国策;吴暻 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是硅基多通道TR组件，结构包括具有信号传输、无源元件集成和芯片载体的多层硅基基板1，用于实现TR组件各类具体功能的微波单片集成电路和数字集成电路2，顶部用于密封和保护的高阻硅硅帽3；多层硅基基板至少包括三层金属布线，金属采用铜（Cu）材料，硅基表面使用多层低介电常数的介质材料进行金属层之间的隔离和表面钝化保护，硅基基板内部制作多个硅基金属过孔（TSV）作为微波芯片接地、内部高功耗元器件的散热通道以及微波信号垂直传输的关键部分，硅基材料四周设置有对外的控制及微波接口，本发明优点：能实现40GHz以内的多通道TR组件，微波性能优良，可实现TR组件的小型化和低成本化。 | ||
| 搜索关键词： | 基多 通道 tr 组件 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.硅基多通道TR组件，其特征在于：包括具有信号传输、无源元件集成和芯片载体的多层硅基基板（1），用于实现TR组件各类具体功能的微波单片集成电路和数字集成电路（2），顶部用于密封和保护的高阻硅硅帽（3）；所述多层硅基基板至少包括三层金属布线，金属采用铜（Cu）材料，硅基表面使用多层低介电常数的介质材料进行金属层之间的隔离和表面钝化保护，硅基基板内部制作多个硅基金属过孔（TSV）作为微波芯片接地、内部高功耗元器件的散热通道以及微波信号垂直传输的关键部分，硅基材料四周设置有对外的控制及微波接口；所述高阻硅硅帽采用低温圆片级键合技术焊接到硅基基板表面，实现组件气密性；所述高阻硅硅帽由两层硅片键合而成，一层硅片形成腔体，一层硅片与形成腔体硅片键合，形成完整硅帽；所述硅基基板的顶部利用圆片级封装方法，采用低温键合工艺手段将制作完备的高阻硅硅帽键合到硅基基板表面，实现硅基TR组件的封装。
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