[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置及其制造系统有效
| 申请号： | 201510011808.4 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779519B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 森田大介;河原弘幸;木村晋治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、以及半导体装置的制造系统，能够减小光调制器部的光致发光波长与激光部的振荡波长的差值的波动。其特征在于，具有第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、光吸收层和上部光限制层，去除它们的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在该衬底的没有形成该光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在该上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在该激光部和该扩散抑制层的上方形成接触层。而且，使该接触层的掺杂物的种类与该上部光限制层的掺杂物的种类一致。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、所述下部光限制层上方的并未掺杂掺杂物的光吸收层、以及所述光吸收层上方的包含Be或Zn的上部光限制层，去除所述下部光限制层、所述光吸收层以及所述上部光限制层的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在所述衬底的没有形成所述光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在所述上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的层厚为100～400nm的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在所述激光部和所述扩散抑制层的上方形成接触层，使所述接触层的掺杂物的种类与所述上部光限制层的掺杂物的种类一致。
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