[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：在半导体衬底上形成并列排布的若干鳍部；在半导体衬底和鳍部上形成第一氧化硅层、及覆盖第一氧化硅层的缓冲应力层，缓冲应力层的材料能够避免缓冲应力层形成过程中的气体损伤鳍部；形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构低于鳍部；去除高于浅沟槽隔离结构的第一氧化硅层部分和缓冲应力层部分。在本技术方案中，缓冲应力层的材料能够避免缓冲应力层形成过程中的气体损伤鳍部，鳍部的形状不会产生较大变化。这样，在亚阈工作状态下，SS值和DIBL值均最小，鳍式场效应晶体管的栅极能够很好地控制鳍部中的亚阈电流，保持器件处于稳定的亚阈工作状态，半导体器件性能较佳。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成并列排布的若干鳍部；在所述半导体衬底和鳍部上形成第一氧化硅层、覆盖所述第一氧化硅层的缓冲应力层，所述第一氧化硅层还覆盖鳍部侧壁，所述缓冲应力层的材料能够避免缓冲应力层形成过程中的气体损伤鳍部；在相邻两鳍部之间形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构低于所述鳍部，所述缓冲应力层能够缓冲所述浅沟槽隔离结构与缓冲应力层之间界面的应力；去除高于所述浅沟槽隔离结构的第一氧化硅层部分和缓冲应力层部分。