[发明专利]在通孔或沟槽中沉积层的方法以及由此获得的产品有效
| 申请号： | 201480080149.3 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106460148B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 达拉姆·戈塞恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/35;H01J37/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，第一磁体布置绕第一旋转轴是可旋转的，其中第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第二部分，其中利用磁控管溅射阴极执行第二层的第二部分的沉积，其中第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中第二角坐标不同于第一角坐标。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 沉积 方法 以及 由此 获得 产品 | ||
【主权项】：
1.一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有所述通孔或沟槽的所述第一层；在具有所述通孔或沟槽的所述第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行所述第二层的所述第一部分的沉积，其中所述第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有所述通孔或沟槽的所述第一层上沉积所述第二层的第二部分，其中利用所述磁控管溅射阴极执行所述第二层的所述第二部分的沉积，其中所述第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中所述第二角坐标不同于所述第一角坐标。
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