[发明专利]具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件有效
| 申请号： | 201480079621.1 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106463168B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | B·S·多伊尔;K·奥乌兹;C·C·郭;M·L·多齐;S·苏里;D·L·肯克;R·S·周;R·戈利扎德莫亚拉德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于形成包括磁性隧道结(MTJ)(例如，具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件)的集成电路结构的技术。该技术包括并入附加磁性层(例如，与磁性接触层类似或相同的层)，以使得该附加磁性层反铁磁地(或者以大体上反平行的方式)耦合。附加磁性层可以有助于平衡磁性接触层的磁场，以限制将以其它方式由磁性接触层引起的寄生边缘场。该附加磁性层可以例如通过在两个磁性层之间包括非磁性间隔体层来反铁磁地耦合到磁性接触层，由此创建合成的反铁磁体(SAF)。该技术可以例如有益于具有与MTJ叠置体的层大体上共线或大体上共面的磁性方向的磁性接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁性 接触 自旋 转移 存储器 sttm 器件 | ||
【主权项】：
一种自旋转移矩存储器(STTM)器件，包括：磁性隧道结(MTJ)，所述磁性隧道结包括：固定磁性层；自由磁性层；以及遂穿阻挡层，所述遂穿阻挡层被设置在所述固定磁性层与所述自由磁性层之间；接触部，所述接触部位于所述MTJ的任一侧上，其中，至少一个接触部是磁性的；以及附加磁性层，所述附加磁性层反铁磁地耦合到所述至少一个磁性接触部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480079621.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
