[发明专利]用于在相同管芯上形成Ge/SiGe沟道和III-V族沟道晶体管的技术有效
| 申请号： | 201480079120.3 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106463535B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;A·S·默西;K·贾姆布纳坦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于在相同管芯上形成Ge/SiGe沟道和III‑V族沟道晶体管的技术。该技术包括在Si或绝缘体衬底上沉积Ge/SiGe或III‑V族材料的伪衬底。然后可以将伪衬底图案化成鳍状部，并且鳍状部的子集可以被Ge/SiGe或III‑V族材料中的另一种材料替换。例如，Ge/SiGe鳍状部可以用于p‑MOS晶体管，并且III‑V族材料鳍状部可以用于n‑MOS晶体管，并且两组鳍状部都可以用于CMOS器件。在一些实例中，在例如替换栅极工艺期间仅替换鳍状部的子集的沟道区。在一些实例中，一些或所有鳍状部可以形成为一个或多个纳米线或纳米带或者被一个或多个纳米线或纳米带替换。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相同 管芯 形成 ge sige 沟道 iii 晶体管 技术 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：硅(Si)或绝缘体衬底；伪衬底，所述伪衬底形成在所述衬底上，并且包括以下材料中的一种材料：锗(Ge)和/或硅锗(SiGe)；或者至少一种III‑V族材料；第一晶体管，所述第一晶体管包括沟道区，所述第一晶体管沟道区由所述伪衬底的部分形成并且包括所述伪衬底材料；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括沟道区，所述第二晶体管沟道区形成在所述伪衬底上并且包括以下材料中的另一种材料：Ge和/或SiGe；或者至少一种III‑V族材料。
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