[发明专利]即时电子束对准有效
| 申请号： | 201480078800.3 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106463347B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了适合于互补性电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补性电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种位于电子束工具的平台上的晶圆的实时对准的方法，该方法包含：当电子束工具的电子束列在平台的扫描期间进行写入时，从晶圆的下方图案化特征收集反向散射电子。该收集由放置在电子束列底部处的电子检测器执行。该方法还包含：基于该收集来执行平台相对于电子束列的对准的线性校正。 | ||
| 搜索关键词： | 即时 电子束 对准 | ||
【主权项】：
一种位于电子束工具的平台上的晶圆的实时对准的方法，所述方法包括：当所述电子束工具的电子束列在所述平台的扫描期间进行写入时，从所述晶圆的下方图案化特征收集反向散射电子，所述收集由放置在所述电子束列底部处的电子检测器执行；以及基于所述收集来执行所述平台相对于所述电子束列的对准的校正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
