[发明专利]具有闪络保护的垂直晶体管

摘要

总体上描述用于增加垂直高电压晶体管的源极和漏极区域之间的间隔而裸片尺寸没有显著对应增加的技术。在一些示例中，可以在划线栅格中的裸片的边缘处移除有源硅(在漏极电势处)，使得有源硅大致位于由深电介质填充的沟槽的区域形成的边缘末端的表面的下方。裸片边缘处的凹进的漏极区域可以增加闪络距离而不明显地增加裸片尺寸。因此，当以大体上相同的操作电压进行操作时，可以通过将产生较小的寄生电容和较小的整体裸片尺寸的垂直和横向间隔进行组合来增加凹进漏极区域和表面源极区域之间的距离。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其具有顶部和底部；源极端子，其被配置为与所述衬底的所述顶部接触；漏极区域，其被配置为与所述衬底的所述底部接触；以及绝缘电介质层，其位于所述衬底的所述顶部，并且被配置为与所述源极区域接触，其中所述衬底包括大体上位于所述绝缘电介质层和所述衬底的所述底部之间的空腔区域。