[发明专利]包覆膜的形成方法以及发光二极管器件的制造方法有效
| 申请号： | 201480077947.0 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106164334B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 山边秀敏;永尾晴美;太田阳介 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;B05D7/24;F21S2/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李英艳<国际申请>=PCT/JP2014 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是在金属材料的表面形成包覆膜，所述包覆膜即使制造时的加热处理中或者长时间的户外环境下的使用，也能够防止由金属材料的表面的腐蚀导致的变色，并且引线接合特性也优异。本发明的解决方案是通过在大气压条件下，在氮等离子体气体中，将六甲基二硅氧烷化合物与作为载气的氮气一起混合喷雾，使该六甲基二硅氧烷化合物自由基化，从而聚合，在金属材料的表面形成厚度4nm～14nm的聚硅氧烷膜，所述聚硅氧烷膜由主链为‑(Si‑O‑Si)n‑的聚硅氧烷构成。 | ||
| 搜索关键词： | 包覆膜 形成 方法 以及 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种包覆膜的形成方法，其特征在于，使用大气压等离子体聚合处理装置，将从该装置的供给喷嘴至金属材料的表面的距离设为5mm～30mm，将所述供给喷嘴的移动速度设为10m/min～40m/min，在大气压条件下，在氮含量为30容量％～100容量％且已等离子体化的氮等离子体气体中，将具有硅氧烷键的有机硅化合物与至少含有30容量％～100容量％的氮的载气一起混合喷雾，使该有机硅化合物自由基化，使自由基化后的有机硅化合物与在所述金属材料的表面存在的金属反应，进行固定化，然后聚合，使聚硅氧烷膜在所述金属材料的表面以4nm～14nm的厚度形成。/n
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