[发明专利]提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构有效
| 申请号： | 201480072787.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN107148683B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨艺兴;亚历山大·蒂托夫;杰克·伊沃宁;郑英;钱磊;保罗·H·霍洛韦 | 申请（专利权）人： | 内诺光学有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于通过提供玻璃衬底合成量子点发光二极管的方法。在玻璃衬底上形成QD‑LED堆叠层。该QD‑LED堆叠层扩散有活性试剂。用可固化树脂封装该QD‑LED堆叠层。用UV光使该可固化树脂固化。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 量子 发光二极管 老化 效应 稳定性 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造高效且稳定的QD‑LED的方法，包括下列步骤：提供玻璃衬底；在所述玻璃衬底上形成QD‑LED堆叠层；将活性试剂掺入可固化树脂中；将所述QD‑LED堆叠层封装在所述可固化树脂中；以及用UV光使所述可固化树脂固化以得到QD‑LED；其中，所述QD‑LED显示出正老化效应。
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