[发明专利]通过Ge凝结进行的硅锗FinFET形成在审
| 申请号： | 201480071666.4 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105874601A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;V·马赫卡奥特桑;K·利姆;S·S·宋;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成FinFET器件的半导体鳍的方法包括在半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜。该方法还包括氧化该非晶或多晶薄膜，以将锗从该非晶或多晶薄膜扩散到该半导体鳍中。此类方法进一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 ge 凝结 进行 finfet 形成 | ||
【主权项】：
一种形成FinFET器件的半导体鳍的方法，包括：在所述半导体鳍上共形沉积硅锗(SiGe)非晶或多晶薄膜；氧化所述非晶或多晶薄膜，以将锗从所述非晶或多晶薄膜扩散到所述半导体鳍中；以及去除所述非晶或多晶薄膜的氧化部分。
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