[发明专利]单晶制造方法有效
| 申请号： | 201480065877.7 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105793475B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 宫原祐一;高岛祥;泽崎康彦;岩崎淳 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶制造方法，其从石英坩埚中所容纳的原料熔液生长单晶，该石英坩埚配置于利用切克劳斯基法的单晶制造装置的炉内，所述单晶制造方法的特征在于，预先求出在所述石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al与Li的摩尔浓度比、所述石英坩埚的使用时间、在该使用时间内的失透部分厚度与所述石英坩埚厚度的比例、及是否发生由所述失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生由所述失透部分引起的漏液的方式设定失透部分的厚度与生长所述单晶时所使用的石英坩埚的厚度的比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在所述使用的石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al与Li的摩尔浓度比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。
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