[发明专利]可调谐半导体辐射源有效
| 申请号： | 201480064021.8 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105765799B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | C·G·卡诺;谢峰;C·E·扎赫 | 申请（专利权）人： | 统雷量子电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑勇 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体辐射源，包括有源芯结构、至少一个微加热器以及至少一个第一电极，所述有源芯结构包括半导体材料，所述微加热器位于有源芯结构上方并且与有源芯结构热连通，所述第一电极位于微加热器的一侧上并且与所述有源芯结构电连通，用于将电流注入有源芯结构中，以控制有源芯结构中的电流密度。还公开了操作所述源来设置调谐输出波长的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 半导体 辐射源 | ||
【主权项】：
一种半导体辐射源，包括：包括半导体材料的有源芯结构；位于所述有源芯结构上方的微加热器，所述微加热器与所述有源芯结构热连通；位于所述微加热器一侧上的第一电极，所述第一电极与有源芯结构电连通，用于将电流注入有源芯结构中，以控制有源芯结构中的电流密度。
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