[发明专利]晶体管的制造方法和晶体管有效
| 申请号： | 201480060991.0 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105706220B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 小泉翔平;杉崎敬;川上雄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;C23C18/31;C23C18/32;C23C28/00;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/768;H01L29/41;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的晶体管的制造方法具有下述工序：在具有源极(6)、漏极(7)、半导体层(9)的基板(2)上，覆盖半导体层(9)，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层(10)；覆盖第1绝缘体层(10)，形成第2绝缘体层(11)；在第2绝缘体层(11)的表面的至少一部分形成基底膜(12)；在基底膜(12)的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在基底膜的表面形成栅极，形成基底膜(12)的工序是将作为基底膜(12)的形成材料的液态物(12S)涂布于第2绝缘体层(11)的表面来进行的，与第1绝缘体层(10)相比，第2绝缘体层(11)对于液态物(12S)具有更高的亲液性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，其中，该制造方法具有下述工序：在形成有源极、漏极和与所述源极、所述漏极的表面相接的有机半导体层的基板上，覆盖所述有机半导体层，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层的工序；覆盖所述第1绝缘体层，形成第2绝缘体层的工序；在所述第2绝缘体层的表面的至少一部分形成镀覆基底膜的工序；和在所述镀覆基底膜的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在所述镀覆基底膜的表面形成栅极的工序；所述形成镀覆基底膜的工序是将作为所述镀覆基底膜的形成材料的液态物涂布于所述第2绝缘体层的表面来进行的，与所述第1绝缘体层相比，所述第2绝缘体层对于所述液态物具有更高的亲液性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康，未经株式会社尼康许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480060991.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
