[发明专利]晶体管的制造方法和晶体管

说明书

本发明的晶体管的制造方法具有下述工序：在具有源极(6)、漏极(7)、半导体层(9)的基板(2)上，覆盖半导体层(9)，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层(10)；覆盖第1绝缘体层(10)，形成第2绝缘体层(11)；在第2绝缘体层(11)的表面的至少一部分形成基底膜(12)；在基底膜(12)的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在基底膜的表面形成栅极，形成基底膜(12)的工序是将作为基底膜(12)的形成材料的液态物(12S)涂布于第2绝缘体层(11)的表面来进行的，与第1绝缘体层(10)相比，第2绝缘体层(11)对于液态物(12S)具有更高的亲液性。

技术领域

本发明涉及晶体管的制造方法和晶体管。

本申请要求基于2013年11月21日申请的日本专利申请2013-240560号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，作为晶体管的制造方法，研究了应用面向便宜、大型化的溶液工艺。与以往相比，采用溶液工艺时，可以以更低温制造晶体管。此外，通过将使用有机半导体材料的有机半导体层形成于使用了树脂材料的柔性基板上，也可以制造具有可挠性的有机晶体管。

在这样的晶体管的制造方法中，可以使用化学镀覆(无电解镀覆)，所述化学镀覆为利用基于材料表面的接触作用产生的还原的镀覆法。在无电解镀覆中不使用电能，因此对于树脂材料、玻璃等非导体也可以实施镀覆。但是，树脂材料、玻璃等难镀覆材料与所形成的镀覆皮膜之间的密合力弱，镀覆层容易因镀覆皮膜的内部应力而产生剥落、膨胀等剥离。

因此，使用铬酸溶液等在基板的表面实施蚀刻处理，使表面发生化学粗化。由此，所形成的镀覆皮膜嵌入经粗化的树脂材料的凹凸，因此能够得到密合力(锚定效果)。

除此之外，还公开有下述方法：在基板表面上设置由微粉末二氧化硅等填料成分与树脂组成成分构成的基底膜，在该基底膜上进行无电解镀覆(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-208389号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，晶体管有时在传输特性中产生磁滞。作为磁滞的主要原因，可以举出“载流子阱”，即在半导体与绝缘膜的界面，绝缘膜妨碍电子流动。在晶体管的设计中，以不产生磁滞的方式选择结构、材料，但利用溶液工艺制造晶体管的情况下，形成材料、晶体管结构的选择自由度小，难以制造不易产生磁滞的晶体管。

本发明方式的目的在于提供一种晶体管的制造方法，该制造方法可以制造在传输特性中不易产生磁滞且动作行为稳定的晶体管。此外，另一目的在于提供一种动作行为稳定的晶体管。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式为晶体管的制造方法，该制造方法具有下述工序：在形成有源极、漏极和与所述源极、所述漏极的表面相接的有机半导体层的基板上，覆盖所述有机半导体层，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层；覆盖所述第1绝缘体层，形成第2绝缘体层；在所述第2绝缘体层的表面的至少一部分形成镀覆基底膜；在所述镀覆基底膜的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在所述镀覆基底膜的表面形成栅极；形成所述镀覆基底膜的工序是将作为所述镀覆基底膜的形成材料的液态物涂布于所述第2绝缘体层的表面来进行的，与所述第1绝缘体层相比，所述第2绝缘体层对于所述液态物具有更高的亲液性。