[发明专利]晶体管的制造方法和晶体管

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，其中，该制造方法具有下述工序：

在形成有源极、漏极和与所述源极、所述漏极的表面相接的有机半导体层的基板上，覆盖所述有机半导体层，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层的工序；

覆盖所述第1绝缘体层，形成第2绝缘体层的工序；

在所述第2绝缘体层的表面的至少一部分形成镀覆基底膜的工序；和

在所述镀覆基底膜的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在所述镀覆基底膜的表面形成栅极的工序；

所述形成镀覆基底膜的工序是将作为所述镀覆基底膜的形成材料的液态物涂布于所述第2绝缘体层的表面来进行的，

与所述第1绝缘体层相比，所述第2绝缘体层对于所述液态物具有更高的亲液性。

2.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，形成所述第1绝缘体层的工序是将含有所述含氟树脂、溶解所述含氟树脂的含氟溶剂的溶液涂布于所述有机半导体层的表面来进行的。

3.如权利要求1或2所述的晶体管的制造方法，其中，在形成所述第1绝缘体层的工序中，完全覆盖所述有机半导体层的上表面和侧面来形成所述第1绝缘体层。

4.如权利要求1或2所述的晶体管的制造方法，其中，

所述液态物含有硅烷偶联剂，

所述硅烷偶联剂含有具有氮原子或硫原子中的至少之一的基团。

5.如权利要求4所述的晶体管的制造方法，其中，所述硅烷偶联剂具有氨基。

6.如权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中，所述硅烷偶联剂为伯胺或仲胺。

7.如权利要求1或2所述的晶体管的制造方法，其中，所述液态物含有溶解有树脂材料的溶液、和分散于所述溶液的填料。

8.如权利要求1或2所述的晶体管的制造方法，其中，所述基板由非金属材料构成。

9.如权利要求8所述的晶体管的制造方法，其中，所述基板由树脂材料构成。

10.如权利要求9所述的晶体管的制造方法，其中，所述基板具有可挠性。

11.一种晶体管，其中，该晶体管具有：形成有源极和漏极的基板；

与所述源极和所述漏极的表面相接的半导体层；

覆盖所述半导体层设置的第1绝缘体层；

覆盖所述第1绝缘体层设置的第2绝缘体层；

设置于所述第2绝缘体层的表面的至少一部分的镀覆基底膜；和

设置于所述镀覆基底膜的表面的栅极，

所述第1绝缘体层以含氟树脂为形成材料，

与所述第1绝缘体层相比，所述第2绝缘体层对于有机溶剂具有更高的亲液性。

12.如权利要求11所述的晶体管，其中，

所述镀覆基底膜含有硅烷偶联剂，

所述硅烷偶联剂含有具有氮原子或硫原子中的至少之一的基团。

13.如权利要求11所述的晶体管，其中，所述镀覆基底膜含有树脂膜、和分散于所述树脂膜的填料。

14.如权利要求11至13中任一项所述的晶体管，其中，所述半导体层为有机半导体层。

15.如权利要求11至13中任一项所述的晶体管，其形成于由非金属材料构成的基板上。

16.如权利要求15所述的晶体管，其中，所述基板由树脂材料构成。

17.如权利要求16所述的晶体管，其中，所述基板具有可挠性。