[发明专利]多像素雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201480056356.5 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105765737B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | Z·Y·萨迪戈夫;A·萨迪戈夫 | 申请（专利权）人： | 泽克泰克光子学有限公司;Z·Y·萨迪戈夫;A·萨迪戈夫 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 郝文博,孟锐 |
| 地址： | 加拿大不列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体雪崩光电二极管和制造所述半导体雪崩光电二极管的方法，所述半导体雪崩光电二极管可操作以用于对光信号的内部放大，且用于对弱光信号、γ射线和核粒子的检测。多像素雪崩光电二极管装置可包括半导体层；多个半导体区域(像素)，其与所述半导体层形成p‑n结；共用导电网格，其藉由电介质层与所述半导体层隔开；以及单独微电阻器，其将所述半导体区域与所述共用导电网格连接。所描述的系统和方法可操作来减少高信号放大率下的光学串扰和多像素雪崩光电二极管的比容量，并且改进多像素雪崩光电二极管的光响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种多像素雪崩光电二极管，其包括：半导体层；多个半导体区域，其与所述半导体层形成p‑n结；共用导电网格，其藉由电介质层与所述半导体层隔开；以及单独微电阻器，其将所述半导体区域与所述共用导电网格连接，其特征在于：在所述半导体区域的表面的一部分上，相应的单独发射器与所述半导体区域形成势垒，其中所述单独发射器借助于相应的第二单独微电阻器连接至附加导电网格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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