[发明专利]静电防护电路、电光装置及电子设备有效
申请号: | 201480055737.1 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN105637630B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 吉井荣仁 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;G02F1/1368;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 崔雁;杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 第一静电防护电路配备第一n型晶体管和第一p型晶体管,第二静电防护电路配备第二n型晶体管和第二p型晶体管中的至少一者,源与这些晶体管的栅连接,第一n型晶体管的栅与低电位电源配线VSS进行电连接,第一n型晶体管的漏与信号配线SL进行电连接,第一p型晶体管的栅与高电位电源配线VDD进行电连接,第一p型晶体管的漏与信号配线SL进行电连接,第二n型晶体管和第二p型晶体管中的至少一者的漏与低电位电源配线VSS或高电位电源配线VDD进行电连接。 | ||
搜索关键词: | 静电 防护 电路 电光 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种静电防护电路,包括:第一静电防护电路;第二静电防护电路;第一电源配线;第二电源配线;以及信号配线,其中所述第一静电防护电路和所述第二静电防护电路中的每一者分别与所述第一电源配线、所述第二电源配线和所述信号配线进行电连接,所述第一静电防护电路设置有第一晶体管和第二晶体管,所述第二静电防护电路设置有第三晶体管,所述第一晶体管为n型晶体管,所述第二晶体管为p型晶体管,所述第三晶体管为n型或p型晶体管,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管中的每一晶体管的源和漏中的一者与栅进行电连接,所述第一晶体管的栅与所述第一电源配线进行电连接,所述第一晶体管的源和漏中的另一者与所述信号配线进行电连接,所述第二晶体管的栅与所述第二电源配线进行电连接,所述第二晶体管的源和漏中的另一者与所述信号配线进行电连接,所述第三晶体管的源和漏中的另一者与所述第一电源配线或所述第二电源配线进行电连接,其中所述第三晶体管具有比所述第一晶体管和所述第二晶体管高的电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造