[发明专利]金属制研磨衬垫及其制造方法有效
| 申请号： | 201480051594.7 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105556642B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 江龙修;山口英二 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人名古屋工业大学;新东工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B01J21/06;B01J23/755;B22F3/11;B22F3/14;B24B37/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够增大被加工面中的与催化剂接触或极靠近的区域的金属制研磨衬垫。用于将被加工物(6)的被加工面(6a)以催化剂支援型的化学加工方法进行平滑化加工的金属制研磨衬垫(2)用由过渡金属催化剂构成的金属纤维的压缩成型体来构成。由于该压缩成型体由金属纤维构成且具有空隙，所以在研磨衬垫表面(2a)上存在的金属纤维能够发生弹性变形。因此，若将研磨衬垫表面(2a)与被加工物(6)的被加工面(6a)互压，则通过与被加工面(6a)上存在的微细的凹凸对应地、金属纤维发生变形，能够减小在研磨衬垫表面(2a)与被加工面(6a)之间产生的间隙。由此，能够增大被加工面(6a)中的与催化剂接触或极靠近的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 研磨 衬垫 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属制研磨衬垫，其特征在于，其是用于将被加工物(6)的被加工面(6a)以催化剂支援型的化学加工方法进行平滑化加工的金属制研磨衬垫(2)，其用由过渡金属催化剂构成的金属纤维(21、22、23)的压缩成型体构成，所述压缩成型体在将交叉的所述金属纤维彼此的接触部位进行烧结、将所述金属纤维彼此进行固定的同时具有规定的空隙率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
