[发明专利]并行存取交叉点阵列中的存储器单元有效
| 申请号： | 201480049464.X | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105518789B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 埃尔南·卡斯特罗 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法及结构包含并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元。并行存取包含同时施加存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及所述第二选定列与所述第二选定行之间。在所述单元处于定阈值状态或所述单元处于阈值后恢复周期中时进行所述并行存取。 | ||
| 搜索关键词： | 并行 存取 交叉点 阵列 中的 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法，其包括：给安置于第一列与第一行之间的第一存储器单元定阈值，其中给所述第一存储器单元定阈值包括施加第一阈值偏压于所述第一列与所述第一行之间；给安置于不同于所述第一列的第二列与不同于所述第一行的第二行之间的第二存储器单元定阈值，其中给所述第二存储器单元定阈值包括施加第二阈值偏压于所述第二列与所述第二行之间；以及在给所述第一存储器单元定阈值和给所述第二存储器单元定阈值之后，并行存取所述第一存储器单元及所述第二存储器单元，其中所述并行存取包含同时施加第一存取偏压于所述第一列与所述第一行之间及施加第二存取偏压于所述第二列与所述第二行之间。
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