[发明专利]并行存取交叉点阵列中的存储器单元

权利要求书

1.一种并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法，其包括：

给安置于第一列与第一行之间的第一存储器单元定阈值，其中给所述第一存储器单元定阈值包括施加第一阈值偏压于所述第一列与所述第一行之间；

给安置于不同于所述第一列的第二列与不同于所述第一行的第二行之间的第二存储器单元定阈值，其中给所述第二存储器单元定阈值包括施加第二阈值偏压于所述第二列与所述第二行之间；以及

在给所述第一存储器单元定阈值和给所述第二存储器单元定阈值之后，并行存取所述第一存储器单元及所述第二存储器单元，其中所述并行存取包含同时施加第一存取偏压于所述第一列与所述第一行之间及施加第二存取偏压于所述第二列与所述第二行之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存取偏压及所述第二存取偏压在量值上低于所述第一阈值偏压及所述第二阈值偏压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存取偏压及所述第二存取偏压在量值上小于所述第一阈值偏压及所述第二阈值偏压的三分之一。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在给所述第二存储器单元定阈值之前，通过以下方式从保持状态释放所述第一存储器单元：将跨所述第一存储器单元的偏压减小到保持电压以下，或将跨所述第一存储器单元的电流减小到保持电流以下，或其组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在从所述保持状态释放所述第一存储器单元之后，通过将刷新偏压施加于所述第一存储器单元来刷新所述第一存储器单元。

6.根据权利要求1所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含在给所述第一存储器单元定阈值之后的恢复周期内给所述第二存储器单元定阈值。

7.根据权利要求5所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含在刷新所述第一存储器单元之后的恢复周期内给所述第二存储器单元定阈值。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在给所述第二存储器单元定阈值之前，通过以下方式将所述第一存储器单元保持在定阈值状态中：将跨所述第一存储器单元的偏压保持在保持电压或高于保持电压，或将跨所述第一存储器单元的电流保持在保持电流或高于保持电流，或其组合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含在将所述第一存储器单元保持在定阈值状态中时给所述第二存储器单元定阈值。

10.根据权利要求1所述的方法，其中给所述第一存储器单元定阈值包含通过施加第一抑制偏压于所述第一列与多个受抑制行之间来抑制多个第一受抑制存储器单元。

11.根据权利要求10所述的方法，其中给所述第一存储器单元定阈值进一步包含通过施加第二抑制偏压于所述第一行与多个受抑制列之间来抑制多个第二受抑制存储器单元。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二抑制偏压不同于所述第一抑制偏压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中给所述第一存储器单元定阈值包含通过施加第三抑制偏压于所述多个受抑制列与所述多个受抑制行之间来抑制多个第三受抑制存储器单元，其中所述第三抑制偏压不同于所述第一抑制偏压及所述第二抑制偏压。

14.根据权利要求13所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含给从所述多个第三受抑制存储器单元中的一者选择的所述第二存储器单元定阈值。

15.根据权利要求11所述的方法，其中并行存取包含施加电压小于所述第一抑制偏压且小于所述第二抑制偏压的所述第一存取偏压。