[发明专利]X射线图像传感器用基板有效
申请号: | 201480043627.3 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN105453269B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 藤原正树;田中耕平 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/144 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 薄膜晶体管基板(2)具备:辅助电容电极(7);栅极绝缘膜(8),其以覆盖辅助电容电极(7)的方式设于绝缘基板(4)上;漏极电极(11),其设于栅极绝缘膜(8)上和氧化物半导体层(9)上;平坦化膜(13),其设于钝化膜(12)上;电容电极(14),其设于平坦化膜(13)上;层间绝缘膜(16),其设于平坦化膜(13)上;以及像素电极(17),其形成于层间绝缘膜(16)上,经由接触孔(18)与漏极电极(11)电连接。 | ||
搜索关键词: | 射线 图像 传感 器用 | ||
【主权项】:
1.一种X射线图像传感器用基板,其特征在于,具备:绝缘基板;栅极电极和辅助电容电极,其设于上述绝缘基板上;栅极绝缘膜,其以覆盖上述栅极电极和上述辅助电容电极的方式设于上述绝缘基板上;半导体层,其以与上述栅极电极重叠的方式设于上述栅极绝缘膜上;漏极电极,其设于上述栅极绝缘膜上和上述半导体层上;钝化膜,其以覆盖上述半导体层和上述漏极电极的方式设于上述栅极绝缘膜上;平坦化膜,其设于上述钝化膜上;电容电极,其设于上述平坦化膜上;层间绝缘膜,其以覆盖上述电容电极的方式设于上述平坦化膜上;以及像素电极,其形成于上述层间绝缘膜上,经由形成于上述钝化膜、上述平坦化膜以及上述层间绝缘膜的接触孔而与上述漏极电极电连接,具备:第1存储电容,其包括电容电极、层间绝缘膜以及像素电极;第2存储电容,其包括辅助电容电极、栅极绝缘膜以及漏极电极;以及第3存储电容,其包括漏极电极、钝化膜以及电容电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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