[发明专利]X射线图像传感器用基板有效

专利信息
申请号: 201480043627.3 申请日: 2014-08-05
公开(公告)号: CN105453269B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 藤原正树;田中耕平 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/144
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 薄膜晶体管基板(2)具备:辅助电容电极(7);栅极绝缘膜(8),其以覆盖辅助电容电极(7)的方式设于绝缘基板(4)上;漏极电极(11),其设于栅极绝缘膜(8)上和氧化物半导体层(9)上;平坦化膜(13),其设于钝化膜(12)上;电容电极(14),其设于平坦化膜(13)上;层间绝缘膜(16),其设于平坦化膜(13)上;以及像素电极(17),其形成于层间绝缘膜(16)上,经由接触孔(18)与漏极电极(11)电连接。
搜索关键词: 射线 图像 传感 器用
【主权项】:
1.一种X射线图像传感器用基板,其特征在于,具备:绝缘基板;栅极电极和辅助电容电极,其设于上述绝缘基板上;栅极绝缘膜,其以覆盖上述栅极电极和上述辅助电容电极的方式设于上述绝缘基板上;半导体层,其以与上述栅极电极重叠的方式设于上述栅极绝缘膜上;漏极电极,其设于上述栅极绝缘膜上和上述半导体层上;钝化膜,其以覆盖上述半导体层和上述漏极电极的方式设于上述栅极绝缘膜上;平坦化膜,其设于上述钝化膜上;电容电极,其设于上述平坦化膜上;层间绝缘膜,其以覆盖上述电容电极的方式设于上述平坦化膜上;以及像素电极,其形成于上述层间绝缘膜上,经由形成于上述钝化膜、上述平坦化膜以及上述层间绝缘膜的接触孔而与上述漏极电极电连接,具备:第1存储电容,其包括电容电极、层间绝缘膜以及像素电极;第2存储电容,其包括辅助电容电极、栅极绝缘膜以及漏极电极;以及第3存储电容,其包括漏极电极、钝化膜以及电容电极。
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