[发明专利]X射线图像传感器用基板

说明书

薄膜晶体管基板(2)具备：辅助电容电极(7)；栅极绝缘膜(8)，其以覆盖辅助电容电极(7)的方式设于绝缘基板(4)上；漏极电极(11)，其设于栅极绝缘膜(8)上和氧化物半导体层(9)上；平坦化膜(13)，其设于钝化膜(12)上；电容电极(14)，其设于平坦化膜(13)上；层间绝缘膜(16)，其设于平坦化膜(13)上；以及像素电极(17)，其形成于层间绝缘膜(16)上，经由接触孔(18)与漏极电极(11)电连接。

技术领域

本发明涉及基于来自X射线所入射的X射线转换膜的电荷信号来显示X射线所透射过的被拍摄体的图像的X射线图像传感器用基板。

背景技术

一般地X射线摄影装置具备X射线图像传感器，由X射线发生器从多个方向对人体等被拍摄体照射X射线，用X射线图像传感器测定透射过被拍摄体的X射线的强度分布(即被拍摄体的投影)。

作为该X射线图像传感器，例如公开了如下X射线图像传感器：具备：薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下也称为“TFT”)，其构成在透明基板上；第1保护绝缘膜，其包含并覆盖TFT；电容电极，其设于第1保护绝缘膜上，以其一部分至少遮挡TFT的方式构成；第2保护绝缘膜，其以覆盖形成于第1保护绝缘膜上的电容电极的方式构成；以及像素电极，其以与TFT的一个端子相连的方式构成在第2保护绝缘膜上。并且，上述X射线图像传感器为如下构成：通过对转换膜照射X射线而产生的电荷存储于存储电容，存储电容由电容电极、第2保护绝缘膜以及像素电极构成(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2004－87604号公报

发明内容

发明要解决的问题

在此，如果使X射线图像传感器实现高精细化(即缩小像素的间距)，则构成存储电容的电极的面积变小，因此存储电容变小。

另外，数据信号线(以下称为“源极线”。)连接着多个TFT，因此来自多个TFT的漏电电流成为噪声。

因而，如上所述，存在如下问题：当存储电容变小时，该存储电容被由TFT的漏电电流造成的噪声淹没，无法判断由X射线的强弱导致的电荷转换差。

另外，为了增大存储电容，虽然考虑增大构成存储电容的电极的面积或者较薄地形成绝缘膜而缩窄构成存储电容的电极间的间隙，但是在实现了高精细化的X射线图像传感器中不易增大电极的面积，另外，如果使绝缘膜变薄，则会影响TFT的特性或成品率(耐压)，因此不易使构成存储电容的绝缘膜变薄。

因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供即使在实现了高精细化的情况下也能用简单的构成来增加存储电容的X射线图像传感器用基板。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明的第一X射线图像传感器用基板的特征在于，具备：绝缘基板；栅极电极和辅助电容电极，其设于绝缘基板上；栅极绝缘膜，其以覆盖栅极电极和辅助电容电极的方式设于绝缘基板上；半导体层，其以与栅极电极重叠的方式设于栅极绝缘膜上；漏极电极，其设于栅极绝缘膜上和半导体层上；钝化膜，其以覆盖半导体层和漏极电极的方式设于栅极绝缘膜上；平坦化膜，其设于钝化膜上；电容电极，其设于平坦化膜上；层间绝缘膜，其以覆盖电容电极的方式设于平坦化膜上；以及像素电极，其形成于层间绝缘膜上，经由形成于钝化膜、平坦化膜以及层间绝缘膜的接触孔而与漏极电极电连接。