[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统有效
| 申请号： | 201480039175.1 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105359272A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 山田泰弘 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;G01T1/20;G01T1/24;G01T7/00;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/32;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉;张雪梅 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种放射线摄像装置，其包括：多个像素，其基于放射线产生信号电荷；和场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷，所述晶体管包括：从衬底侧依次堆叠的第一氧化硅膜、包括有源层的半导体层、和第二氧化硅膜，和设置为中间隔着所述第一和第二氧化硅膜之一面对所述半导体层的第一栅电极。所述第二氧化硅膜的厚度等于或者大于所述第一氧化硅膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 摄像 装置 显示 系统 | ||
【主权项】：
一种放射线摄像装置，其包括：多个像素，其基于放射线产生信号电荷；和场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷，所述晶体管包括：从衬底侧依次堆叠的第一氧化硅膜、包括有源层的半导体层、和第二氧化硅膜，和设置为中间隔着所述第一和第二氧化硅膜之一面对所述半导体层的第一栅电极，并且所述第二氧化硅膜的厚度等于或者大于所述第一氧化硅膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
