[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统

权利要求书

1.一种放射线摄像装置，其包括：

多个像素，其基于放射线产生信号电荷；和

场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷，

所述晶体管包括：

从衬底侧依次堆叠的第一氧化硅膜、包括有源层的半导体层、和第二氧化硅膜，和

设置为中间隔着所述第一和第二氧化硅膜之一面对所述半导体层的第一栅电极，并且

所述第二氧化硅膜的厚度等于或者大于所述第一氧化硅膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述晶体管从所述衬底侧依次包括所述第一氧化硅膜、所述半导体层、所述第二氧化硅膜和所述第一栅电极。

3.根据权利要求2所述的放射线摄像装置，其中，在所述第二氧化硅膜和所述第一栅电极之间设置有具有比所述第二氧化硅膜的厚度更大厚度的氮化硅膜。

4.根据权利要求3所述的放射线摄像装置，其中，所述氮化硅膜的厚度为10nm或更大。

5.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述第一和第二氧化硅膜的总厚度是65nm或更小。

6.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述晶体管从所述衬底侧依次包括所述第一栅电极、所述第一氧化硅膜、所述半导体层和所述第二氧化硅膜。

7.根据权利要求6所述的放射线摄像装置，其中，在所述第二氧化硅膜上设置有具有比所述第二氧化硅膜的厚度更大厚度的氮化硅膜。

8.根据权利要求7所述的放射线摄像装置，其中，所述氮化硅膜的厚度为10nm或更大。

9.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，

所述晶体管从衬底侧依次包括所述第一栅电极、所述第一氧化硅膜、所述半导体层和所述第二氧化硅膜，并且

所述晶体管在所述第二氧化硅膜上包括第二栅电极以面对所述第一栅电极。

10.根据权利要求9所述的放射线摄像装置，其中，在所述第二氧化硅膜和所述第一栅电极之间设置有具有比所述第二氧化硅膜的厚度更大厚度的氮化硅膜。

11.根据权利要求10所述的放射线摄像装置，其中，所述氮化硅膜的厚度为10nm或更大。

12.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述半导体层包括多晶硅、微晶硅、非晶硅和氧化物半导体之一。

13.根据权利要求12所述的放射线摄像装置，其中，所述半导体层包括低温多晶硅。

14.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，还包括在所述多个像素的光进入侧的波长变换层，

其中，所述多个像素中的每一个包括光电变换元件，和

所述波长变换层配置为将所述放射线变换为具有处于所述光电变换元件的敏感区域中的波长的放射线。

15.根据权利要求14所述的放射线摄像装置，其中，所述光电变换元件由PIN型光电二极管和MIS型传感器之一构成。

16.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述多个像素中的每一个包括吸收所述放射线以产生所述信号电荷的变换层。

17.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述放射线包括X射线。

18.一种放射线摄像显示系统，其设置有放射线摄像装置和显示单元，所述显示单元配置为基于所述放射线摄像装置获得的摄像信号显示图像，所述放射线摄像装置包括：

多个像素，其基于放射线产生信号电荷；和

场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷，

所述晶体管包括：

从衬底侧依次堆叠的第一氧化硅膜、包括有源层的半导体层、和第二氧化硅膜，和

设置为中间隔着所述第一和第二氧化硅膜之一面对所述半导体层的第一栅电极，并且

所述第二氧化硅膜的厚度等于或者大于所述第一氧化硅膜的厚度。