[发明专利]复合型半导体器件及其控制方法有效
| 申请号： | 201480036978.1 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105379118B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 池谷直泰;仲嶋明生;印南航介 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/10;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够节省空间的复合型半导体器件及其控制方法。Si－FET(2)先导通，GaN器件(1)在Si－FET(2)导通后导通，由此复合型半导体器件(10)实现导通。 | ||
| 搜索关键词： | 复合型 半导体器件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合型半导体器件，其由第一场效应晶体管和第二场效应晶体管串联连接而成，所述第一场效应晶体管由GaN器件构成，所述第二场效应晶体管由Si－FET构成，该复合型半导体器件的特征在于：在令用于对所述第一场效应晶体管的栅极供给电流的栅极电阻的值为RG1，用于对所述第二场效应晶体管的栅极供给电流的栅极电阻的值为RG2，所述第一场效应晶体管的内置栅极电阻为RG3，所述第一场效应晶体管的栅极驱动电压为VG1，所述第一场效应晶体管的到达阈值电压为止的栅极电容为QGVTH1，所述第二场效应晶体管的内置栅极电阻为RG4，所述第二场效应晶体管的栅极驱动电压为VG2，所述第二场效应晶体管的到达阈值电压为止的栅极电容为QGVTH2的情况下，以满足以下数学式的方式，决定所述第一场效应晶体管的栅极电阻和所述第二场效应晶体管的栅极电阻，(RG1+RG3)*QGVTH1/VG1＜(RG2+RG4)*QGVTH2/VG2，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管按如下方式被独立地控制：所述第二场效应晶体管先导通，所述第一场效应晶体管在所述第二场效应晶体管导通后导通，由此所述复合型半导体器件导通，所述第一场效应晶体管先成为非导通，所述第二场效应晶体管在所述第一场效应晶体管成为非导通之后成为非导通，由此所述复合型半导体器件成为非导通。
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