[发明专利]太阳能电池结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480035600.X 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN105659390B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 英瓦尔·奥贝里;约纳斯·奥尔松;达米尔·阿索利;尼克拉斯·安图 申请(专利权)人: 索尔伏打电流公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/075
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 章蕾
地址: 瑞典*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种太阳能电池结构(1)及其制造方法,所述结构包括制造于具有直接带隙的半导体材料中的细长的纳米线(2)的阵列。每一纳米线(2)具有至少第一区段(3)及第二区段(4)。所述结构包括第一电极层(7),其实现与每一第一区段(3)的至少一个部分的欧姆接触;第二光学透明电极层(8),其实现与每一第二区段的至少一个部分的接触。每一纳米线(2)包括少数载流子屏障元件(6)以用于在与所述第二电极层(8)的所述接触处最小化少数载流子的复合。
搜索关键词: 太阳能电池 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种用于制造包括细长纳米线的阵列的太阳能电池结构的方法,所述细长纳米线的阵列包括具有直接带隙的半导体材料,所述方法包括以下步骤:在材料层上提供第一结构,所述第一结构包括所述纳米线阵列及聚合物基质,所述纳米线阵列被完全嵌入到所述聚合物基质中,将具有所述嵌入的纳米线的所述聚合物基质与所述材料层分离,移除所述聚合物材料的一部分,使得相应的所述纳米线的至少第一末端从所述聚合物基质伸出,提供覆盖相应的所述纳米线的所述伸出末端的导电层,在所述导电层下方提供粘接层,通过使用溶剂完全地移除所述聚合物基质,沉积电绝缘层,暴露每一纳米线的第二末端,沉积光学透明导电层。
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