[发明专利]太阳能电池结构及其制造方法有效
申请号: | 201480035600.X | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN105659390B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 英瓦尔·奥贝里;约纳斯·奥尔松;达米尔·阿索利;尼克拉斯·安图 | 申请(专利权)人: | 索尔伏打电流公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/075 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种太阳能电池结构(1)及其制造方法,所述结构包括制造于具有直接带隙的半导体材料中的细长的纳米线(2)的阵列。每一纳米线(2)具有至少第一区段(3)及第二区段(4)。所述结构包括第一电极层(7),其实现与每一第一区段(3)的至少一个部分的欧姆接触;第二光学透明电极层(8),其实现与每一第二区段的至少一个部分的接触。每一纳米线(2)包括少数载流子屏障元件(6)以用于在与所述第二电极层(8)的所述接触处最小化少数载流子的复合。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造包括细长纳米线的阵列的太阳能电池结构的方法,所述细长纳米线的阵列包括具有直接带隙的半导体材料,所述方法包括以下步骤:在材料层上提供第一结构,所述第一结构包括所述纳米线阵列及聚合物基质,所述纳米线阵列被完全嵌入到所述聚合物基质中,将具有所述嵌入的纳米线的所述聚合物基质与所述材料层分离,移除所述聚合物材料的一部分,使得相应的所述纳米线的至少第一末端从所述聚合物基质伸出,提供覆盖相应的所述纳米线的所述伸出末端的导电层,在所述导电层下方提供粘接层,通过使用溶剂完全地移除所述聚合物基质,沉积电绝缘层,暴露每一纳米线的第二末端,沉积光学透明导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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