[发明专利]CMP用二氧化硅、水性分散液以及CMP用二氧化硅的制造方法有效
| 申请号： | 201480032413.6 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105264646B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 中村正博;石本龙二 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C01B33/18;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海音科专利商标代理有限公司31267 | 代理人： | 刘香兰 |
| 地址： | 日本国山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能够确保适当高的研磨速率并且减少研磨时的划伤；本发明提供满足以下(A)～(C)的CMP用二氧化硅、使用CMP用二氧化硅的水性分散液、以及CMP用二氧化硅的制造方法，(A)BET比表面积为40m2/g以上180m2/g以下；(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm3以上；(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 二氧化硅 水性 分散 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP用二氧化硅，其特征在于满足以下的(A)～(C)，(A)BET比表面积为40m2/g以上180m2/g以下；(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm3以上；(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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