[发明专利]用于半导体的单晶硅锭和晶片在审
| 申请号： | 201480029280.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105247113A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 洪宁皓;朴玹雨 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆蔚;樊云飞 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一个实施方式中的用于半导体的单晶硅锭和晶片包括过渡区域，在包含在间隙主导的无缺陷区域中的晶体缺陷中，所述过渡区域主要含有尺寸为10-30纳米的晶体缺陷。对所述锭和所述晶片进行至少一次热处理之前的初始氧浓度与进行至少一次热处理之后的最终氧浓度之间的差别为0.5ppma或更少。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 单晶硅 晶片 | ||
【主权项】：
一种用于半导体的单晶硅锭和晶片，其特征在于，其包括过渡区域，在包含在间隙主导的无缺陷区域中的晶体缺陷中，所述过渡区域主要含有尺寸为10‑30纳米的晶体缺陷，所述过渡区域，其中，对所述锭和所述晶片进行至少一次热处理之前的初始氧浓度与进行至少一次热处理之后的最终氧浓度之间的差别为0.5ppma或更少。
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