[发明专利]用于薄膜太阳能电池的铜-铟-镓-硫属化物纳米粒子前体有效
| 申请号： | 201480025307.5 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105190836B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·哈里斯;克里斯托弗·纽曼;翁布雷塔·马萨拉;劳拉·怀尔德;奈杰尔·皮克特 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;B82Y30/00;C01G15/00;C09D11/037;C09D11/52;C30B7/14;C30B29/46;C30B29/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在有机溶剂中添加金属盐和烷硫醇并通过施加热量促进反应来合成含有IUPAC第11族离子、第13族离子和硫离子的纳米粒子。在低至200℃的温度下形成纳米粒子。可以在低于反应温度的温度(通常低～40℃)下将纳米粒子热退火一段时间以改善拓扑结构并且使尺寸分布变窄。反应完成后，可以将纳米粒子通过加入非溶剂分离并在包含甲苯、氯仿和己烷的有机溶剂中再分散以形成纳米粒子墨水。可以在反应溶液中加入添加剂以调整最终墨水粘度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 太阳能电池 硫属化物 纳米 粒子 | ||
【主权项】：
一种包含纳米粒子群的组合物，所述纳米粒子具有经验式CuInxGa1‑xS2其中(0<x<1)，其中每个纳米粒子包含结合到所述纳米粒子表面的有机配体层，且其中所述有机配体层基本上由硫醇组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
