[发明专利]用于在晶片处理系统内进行低温测量的设备与方法

摘要

本文公开的实施方式涉及用于在膜形成工艺期间进行分区温度控制的方法与设备。在一个实施方式中，提供基板处理设备。该基板处理设备包括真空腔室、与多个热灯耦接的多个电源、以及基于来自辐射传感器的输入而调节电源的控制器。该腔室包括侧壁，该侧壁界定处理区域。多个热灯安置在该处理区域外部。窗安置在该多个热灯与该处理区域之间。辐射源设置在该侧壁中并且定向为朝着邻近基板支撑件的区域导引辐射。辐射传感器设置在该基板支撑件的一侧且在与该多个热灯相对的这侧，以接收来自该辐射源的发射辐射。

主权项

一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括：侧壁，所述侧壁界定处理区域，所述处理区域具有设置在所述处理区域中的基板支撑件，所述基板支撑件用于支撑面朝上定向的基板；多个热灯，所述多个热灯安置在所述处理区域的外部且在所述基板支撑件之下；窗，所述窗安置在所述多个热灯与所述处理区域之间；辐射源，所述辐射源设置在所述侧壁中并且定向为朝着邻近所述基板支撑件的区域导引辐射；以及辐射传感器，所述辐射传感器设置在所述基板支撑件的上方且与所述多个热灯相对，以接收来自所述辐射源的发射辐射；多个电源，所述多个电源与所述多个热灯耦接；以及控制器，所述控制器基于来自所述辐射传感器的输入调节所述多个电源。