[发明专利]具有非常低的光学串扰以及改进的读出的硅光电倍增器有效

专利信息
申请号: 201480022141.1 申请日: 2014-04-16
公开(公告)号: CN105122470B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: R·米尔佐扬;马萨希罗·捷希玛;E·波波娃 申请(专利权)人: 马克斯-普朗克科学促进协会
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/0224;H01L27/144
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 吕俊刚,刘久亮
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 基于硅的光电倍增器器件包括基板(1)、第一导电类型的第一层(2)、以及在第一层上形成的第二导电类型的第二层(3),其中,第一层(2)和第二层(3)形成p‑n结,其中,第一层(2)和第二层(3)被设置在基板(1)上或者基板(1)的上面。在基板(1)和第一层(2)之间的材料层(15)实现光吸收体的功能,因此高效地抑制器件的相邻单元之间的串扰。材料层(15)还可以用作用于从器件读出电信号的电极。
搜索关键词: 具有 非常 光学 以及 改进 读出 光电 倍增器
【主权项】:
一种基于硅的光电倍增器器件,该光电倍增器器件包括:多个光敏单元;基板(1);以及第一导电类型的第一层(2);所述多个光敏单元中的每一个包括形成在所述第一层(2)的远离所述基板(1)的主上表面上的第二导电类型的第二层(3);其中,所述第一层(2)和所述第二层(3)形成p‑n结;其中,所述第一层(2)和所述第二层(3)被设置在所述基板(1)的上方,所述光电倍增器器件还包括:材料层(15),所述材料层(15)设置在所述基板(1)的主上表面和所述第一层(2)的主下表面之间,所述材料层(15)由与所述基板(1)的材料不同的材料制成,其特征在于,所述材料层(15)的材料包括金属、金属化合物或金属合金中的一个或更多个。
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