[发明专利]使用电介质桥接器的电镀方法和电镀结构有效
申请号: | 201480020302.3 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN105229781B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 尤金·A·斯托特;道格拉斯·M·斯科特;安东尼·P·柯蒂斯;西奥多·G·特斯耶尔;居伊·F·布格斯 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76;H01L21/768 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 梁丽超,刘冀 |
地址: | 213500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 结构和方法提供了一种用于电镀中的电介质桥接器。方法包括提供具有多个芯片的半导体晶片,其中,第一芯片与第二芯片相邻,并且所述第一芯片和第二芯片通过切割道区域分开;形成覆盖所述半导体晶片的图案化介电层,所述介电层包括跨过所述切割道区域的电介质桥接器;形成覆盖所述介电层的导电层(例如,金属种子层),其中,所述导电层的一部分覆盖所述电介质桥接器,以提供从所述第一芯片到所述第二芯片的电流通路;并且通过使用所述电流通路,给所述第二芯片提供电流,来电镀所述导电层的目标区域。由所述介电层构成的其他这种桥接器将电流通路提供给在所述晶片上的其他芯片。 | ||
搜索关键词: | 使用 电介质 桥接器 电镀 | ||
【主权项】:
一种使用电介质桥接器的电镀方法,包括:提供包括多个芯片的半导体晶片,所述多个芯片包括第一芯片和第二芯片,其中,所述第一芯片与所述第二芯片相邻,并且所述第一芯片和第二芯片被切割道区域分开;形成覆盖所述半导体晶片的图案化介电层,所述介电层包括跨过所述切割道区域的至少一个电介质桥接器;形成覆盖所述介电层的导电种子层,所述导电层的一部分覆盖所述至少一个电介质桥接器,以提供从所述第一芯片到所述第二芯片的电流通路;并且电镀所述导电层的目标区域,其中,所述电镀包括使用所述电流通路,给所述第二芯片提供电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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