[发明专利]层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480018168.3 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105073883B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 杉山雅哉;河濑康弘;池本慎;桐谷秀纪;山崎正典 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08K3/013;C08K5/17 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成,张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 半导体 装置 填充 材料 组合 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种组合物，其中，该组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份，其中，该组合物进一步含有选自由金属氮化物组成的组中的至少一种的无机填料(D)，且该无机填料(D)为选自由具有特定结晶结构的氮化硼颗粒和氮化硼凝聚颗粒组成的组中的至少一种，具有特定结晶结构的氮化硼颗粒满足0.70≦Lc/La，其中，La为100面的微晶尺寸，且Lc为002面的微晶尺寸；氮化硼凝聚颗粒的比表面积为10m2/g以上，总细孔容积为2.15cm3/g以下，并且该氮化硼凝聚颗粒的表面由平均粒径为0.05μm以上1μm以下的氮化硼一次颗粒构成。
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