[发明专利]反射性衬里有效
| 申请号： | 201480013374.5 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN105009263B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特;苏拉吉特·库马尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开用于处理半导体基板的装置。所述装置是具有光学透明的上圆顶及下圆顶的处理腔室。所述处理腔室在处理时维持真空。所述上圆顶通过使温度调节流体在所述处理区之外沿着所述上圆顶流动而被调节温度。热灯具被定位在下圆顶附近，且热传感器设置于所述灯具之间。所述灯具在区域中被供电，且控制器基于从热传感器接收的数据而调整所述灯具区域的电力。反射性衬里可提供用于改善的基板的温度测量及加热。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 衬里 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体处理腔室中的装置，所述装置包括：正圆柱环状反射性衬里，所述正圆柱环状反射性衬里包括：外部部件、内部部件，及介于所述外部部件及所述内部部件之间的空间；及反射性构件，所述反射性构件可移动地设置于所述空间中；其中第一缝隙设置在介于所述内部部件及所述反射性构件之间，并且第二缝隙设置在介于所述外部部件及所述反射性构件之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480013374.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
