[发明专利]用于处理结构的工艺有效
申请号: | 201480010335.X | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN105027263B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 奥列格·科农丘克 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于处理结构的方法,所述结构从其后侧到其前侧包括载体基板(4)、绝缘层(3)和有用层(2),有用层(2)具有自由表面(S),所述结构放置在包含化学物种(6)的大气中,化学物种(6)能够与有用层(2)发生化学反应;该处理方法值得注意的是,由脉冲激光束(8)对有用层(2)进行加热,光束(8)扫过自由表面(S),光束(8)的波长与中心波长相差最多加上或者减去15nm,中心波长被选择为使得结构(1)的反射率相对于绝缘层(3)的灵敏度为零。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 结构 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于处理结构(1)的处理工艺,所述结构(1)从其后侧到其前侧包括载体基板(4)、绝缘层(3)和有用层(2),所述有用层(2)具有自由表面(S),所述结构(1)放置在包含气态形式的化学物种(6)的气氛中,所述化学物种(6)能够与所述有用层(2)发生化学反应,动力学随着所述有用层(2)的温度严格地增加;所述处理工艺的特征在于,由脉冲激光束(8)对所述有用层(2)进行加热,所述光束(8)至少部分地扫过所述有用层(2)的所述自由表面(S),所述光束(8)的波长与中心波长相差小于15nm,对于该波长,所述结构(1)的估计的反射率相对于所述绝缘层(3)的灵敏度为零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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