[发明专利]用于处理结构的工艺有效

申请号：	201480010335.X	申请日：	2014-02-25
公开（公告）号：	CN105027263B	公开（公告）日：	2017-11-21
发明（设计）人：	奥列格·科农丘克	申请（专利权）人：	索泰克公司
主分类号：	H01L21/268	分类号：	H01L21/268;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/20
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司11127	代理人：	吕俊刚,刘久亮
地址：	法国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于处理结构工艺
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【权利要求书】：

1.一种用于处理结构(1)的处理工艺，所述结构(1)从其后侧到其前侧包括载体基板(4)、绝缘层(3)和有用层(2)，所述有用层(2)具有自由表面(S)，所述结构(1)放置在包含气态形式的化学物种(6)的气氛中，所述化学物种(6)能够与所述有用层(2)发生化学反应，动力学随着所述有用层(2)的温度严格地增加；所述处理工艺的特征在于，由脉冲激光束(8)对所述有用层(2)进行加热，所述光束(8)至少部分地扫过所述有用层(2)的所述自由表面(S)，所述光束(8)的波长与中心波长相差小于15nm，对于该波长，所述结构(1)的估计的反射率相对于所述绝缘层(3)的灵敏度为零。

2.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述光束(8)的波长与中心波长相差小于7nm。

3.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述激光束的所述脉冲的持续时间小于tv值，tv等于l²/D，D是所述有用层(2)中的热扩散系数，并且l对应于处理阈值波长。

4.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述脉冲激光束(8)具有小于100ns的脉冲持续时间。

5.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述有用层(2)是包括下列材料中的至少一种的半导体材料的层：硅、锗、硅锗合金。

6.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述化学物种(6)使得能够蚀刻所述有用层(2)，并且所述脉冲激光束(8)的波长被选择为对应于所述结构(1)的估计的反射率相对于所述有用层(2)的灵敏度的负值。

7.根据权利要求6所述的处理工艺，其中，所述化学物种(6)包括HCl。

8.根据权利要求1至5中的一项所述的处理工艺，其中，所述化学物种(6)使得能够通过外延生长来增厚所述有用层(2)，并且所述脉冲激光束(8)的波长被选择为对应于所述结构(1)的估计的反射率相对于所述有用层(2)的灵敏度的正值。

9.根据权利要求8所述的处理工艺，其中，所述化学物种(6)包括以下物种中的至少一种：硅烷、二硅烷、三硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、锗烷、一氯锗烷、二氯锗烷、三氯锗烷、四氯锗烷。

10.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述绝缘层(3)包括二氧化硅。

11.根据权利要求1所述的处理工艺，其中，所述绝缘层(3)具有小于150nm的厚度。

12.根据权利要求11所述的处理工艺，其中，所述绝缘层(3)具有小于50nm的厚度。

13.根据权利要求11所述的处理工艺，其中，所述绝缘层(3)具有小于25nm的厚度。