[发明专利]氮化物半导体器件和氮化物半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201480009856.3 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105074876A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 藤田耕一郎 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/338;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物半导体器件包括：形成在衬底上的氮化物半导体的第一半导体层(1)；层叠在上述第一半导体层(1)上，形成异质界面(4)的氮化物半导体的第二半导体层(2)；在上述第一半导体层(1)的与上述第二半导体层(2)的异质界面(4)形成的二维电子层(5)；贯通上述第二半导体层(2)到达上述第一半导体层(1)的一部分的凹部(7)；和一部分被埋入到上述凹部(7)内的欧姆电极(6)，上述异质界面(4)与上述欧姆电极(6)中的与上述第二半导体层(2)接触的接触面所成的锐角侧的角度被设定为60°以上且85°以下。由此，降低上述第一半导体层(1)与上述欧姆电极(6)之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的由氮化物半导体形成的第一半导体层(1)；由氮化物半导体形成的第二半导体层(2)，其层叠在所述第一半导体层(1)上，并且与所述第一半导体层(1)形成异质界面(4)；二维电子层(5)，其为在所述第一半导体层(1)的与所述第二半导体层(2)的异质界面(4)形成的二维电子气的层；以贯通所述第二半导体层(2)到达所述第一半导体层(1)的上侧一部分的方式形成的凹部(7)；和至少一部分被埋入到所述凹部(7)内的欧姆电极(6)，所述异质界面(4)与一部分被埋入到所述凹部(7)内的所述欧姆电极(6)的与所述第二半导体层(2)接触的接触面所成的锐角侧的角度被设定为60°以上且85°以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
