[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201480008928.2 | 申请日： | 2014-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104995739B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 山田俊介;堀井拓;木岛正贵 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件(101)，包括碳化硅衬底(10)、主电极(52)、第一阻挡层(70a)以及互连层(60)。主电极(52)直接设置在碳化硅衬底(10)上。第一阻挡层(70a)设置在主电极(52)上且由不包含铝的导电材料制成。互连层(60)设置在第一阻挡层(70a)上，通过第一阻挡层(70a)与主电极(52)隔开，且由包含铝的材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底；主电极，所述主电极直接设置在所述碳化硅衬底上；第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述主电极上，所述第一阻挡层由不包含铝的导电材料制成；以及互连层，所述互连层设置在所述第一阻挡层上，所述互连层通过所述第一阻挡层与所述主电极隔开，所述互连层由包含铝的材料制成，所述碳化硅半导体器件进一步包括：栅电极，所述栅电极设置在所述碳化硅衬底上；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置在所述栅电极上，以提供所述栅电极和所述互连层之间的绝缘，所述层间绝缘膜具有接触孔，所述主电极与所述碳化硅衬底在所述接触孔中接触；以及第二阻挡层，所述第二阻挡层直接设置在所述层间绝缘膜上，所述第二阻挡层将所述层间绝缘膜和所述主电极彼此隔开，所述第二阻挡层由与包含铝的材料不同的材料制成，其中，所述第一阻挡层包括位于所述互连层和所述层间绝缘膜之间的部分，并且其中，所述主电极包括夹在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的部分。
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