[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201480008388.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN105190899A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 第一漂移层(81a)具有面向第一电极(98)并电连接到第一电极(98)的第一表面(P1)，和与第一表面(P1)相反的第二表面(P2)。第一漂移层(81a)具有杂质浓度NA。缓和区(71)设置在第一漂移层(81a)的第二表面(P2)的一部分中。第一漂移层(81a)和第二漂移层(81b)形成其中掩埋有缓和区(71)的漂移区(81)。第二漂移层(81b)具有杂质浓度NB，满足NB＞NA。体区(82)、源区(83)和第二电极(94)设置在第二漂移层(81b)上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：第一电极；第一漂移层，所述第一漂移层具有面向所述第一电极并且电连接到所述第一电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，具有第一导电类型，并且具有杂质浓度NA；缓和区，所述缓和区设置在所述第一漂移层的所述第二表面的一部分中，具有距所述第一表面的距离LA，并且具有第二导电类型；第二漂移层，所述第二漂移层具有与所述第二表面相接触的第三表面和与所述第三表面相反的第四表面，并且具有所述第一导电类型，所述第一漂移层和所述第二漂移层形成漂移区，在所述漂移区中掩埋有所述缓和区，所述第二漂移层具有杂质浓度NB，满足NB＞NA；体区，所述体区设置在所述第二漂移层的所述第四表面上，并且具有所述第二导电类型；源区，所述源区设置在所述体区上，所述源区通过所述体区与所述漂移区分开，并且具有所述第一导电类型；第二电极，所述第二电极电连接到所述源区；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括在所述体区上的使所述源区和所述第二漂移层相互连接的部分；以及栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480008388.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造具有背面钝化层的光伏电池的方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
