[发明专利]固态图像传感器、其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201480007166.4 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104981906B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 山川真弥 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 梁兴龙,曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及一种对在制造过程中的未对准具有容忍性并且光电转换的转换效率高的固态图像传感器、可以实现固态图像传感器的制造方法和电子设备。所述固态图像传感器包括在半导体基板中埋入形成的光电转换单元;保持由所述光电转换单元生成的电荷的杂质区域;和将所述电荷传输到所述杂质区域的传输晶体管。所述传输晶体管的栅电极从其上形成所述杂质区域的半导体基板的表面在朝向所述半导体基板中的光电转换单元的深度方向上形成。所述传输晶体管的通道部从所述深度方向观看在所述杂质区域的方向之外的两个以上方向上被所述栅电极包围。本技术例如可以适用于背面照射型固态图像拾取元件等。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态图像传感器,包括:在半导体基板中埋入形成的光电转换单元;保持由所述光电转换单元生成的电荷的杂质区域;和将所述电荷传输到所述杂质区域的传输晶体管,其中所述传输晶体管的栅电极从其上形成所述杂质区域的半导体基板的表面在朝向所述半导体基板中的光电转换单元的深度方向上形成,其中所述传输晶体管的通道部从所述深度方向观看在所述杂质区域的方向之外的两个以上方向上被所述栅电极包围,并且其中在两个以上方向上被所述栅电极包围的所述传输晶体管的通道部的杂质浓度低于所述栅电极外侧的杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的