[发明专利]固态图像传感器、其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态图像传感器，包括：

在半导体基板中埋入形成的光电转换单元；

保持由所述光电转换单元生成的电荷的杂质区域；和

将所述电荷传输到所述杂质区域的传输晶体管，

其中所述传输晶体管的栅电极从其上形成所述杂质区域的半导体基板的表面在朝向所述半导体基板中的光电转换单元的深度方向上形成，

其中所述传输晶体管的通道部从所述深度方向观看在所述杂质区域的方向之外的两个以上方向上被所述栅电极包围，并且

其中在两个以上方向上被所述栅电极包围的所述传输晶体管的通道部的杂质浓度低于所述栅电极外侧的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的固态图像传感器，其中

所述光电转换单元是光电二极管，和

所述传输晶体管的栅电极形成至与所述光电二极管的p-n结面相同的位置或比所述p-n结面更深的位置。

3.如权利要求1所述的固态图像传感器，其中

从所述栅电极观看在所述杂质区域相对侧的区域中，由绝缘物形成隔离区域。

4.如权利要求1所述的固态图像传感器，其中

所述传输晶体管的栅电极从所述深度方向观看形成为在所述杂质区域的方向上开口的U形。

5.如权利要求1所述的固态图像传感器，其中

所述杂质区域是在将所述电荷传输到浮动扩散区域之前临时保持所述电荷的存储单元，和

在所述存储单元的上部中，除了所述传输晶体管的栅电极之外，还形成向其施加预定电压的栅电极。

6.一种固态图像传感器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

通过在半导体基板中埋入形成光电转换单元；

从所述半导体基板的表面在朝向所述半导体基板中的光电转换单元的深度方向上形成传输由所述光电转换单元生成的电荷的传输晶体管的栅电极；和

在所述半导体基板的表面上形成保持由所述传输晶体管传输的电荷的杂质区域，

其中所述传输晶体管的通道部从所述深度方向观看在所述杂质区域的方向之外的两个以上方向上被所述栅电极包围，并且

其中在两个以上方向上被所述栅电极包围的所述传输晶体管的通道部的杂质浓度低于所述栅电极外侧的杂质浓度。

7.一种电子设备，包括如权利要求1-5中任一项所述的固态图像传感器。